按照惯例，2015年度国家科学技术奖将于本月（2016年1月）在人民大会堂举行颁奖大会。目前，2016年度国家科学技术奖候选项目推荐工作也已经启动，“低热阻高光效大功率LED封装优化技术及应用”项目被国家工信部推荐为2016年度国家科学技术奖候选项目。此次进入候选是LED技术项目连续第3年冲刺国家科学技术奖，期待LED封装技术首次荣登大榜单。

　　在2015年1月举行的国家科学技术奖颁奖大会上，中国科学院半导体所“低热阻高光效蓝宝石基GaN LED材料外延及芯片技术”项目荣获2014年度国家科学技术奖技术发明二等奖。该项目历经十余年自主攻关，在半导体照明基础材料、新型器件集成技术方面取得一系列重大原创性技术发明：国际首创新型复合光学膜结构及制备技术，国际首创金属复合衬底结构，首次在纳米图形衬底上外延出高质量高铝组分氮化物材料，主要发明点均为国际首创，器件发光效率超过160 lm/W，经查新及鉴定为国际最好水平。

　　本月（2016年1月）即将举行的2015年度国家科学技术奖颁奖大会，预料“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目获得技术发明一等奖。根据国家科技部在2015年6月公示的初评结果，该项目是技术发明奖唯一入选的一等奖。该项目由南昌大学牵头，团队带头人是江风益（南昌大学副校长、曾任晶能光电董事长总裁），晶能光电（江西）有限公司、中节能晶和照明有限公司名列获奖人。据悉，硅衬底技术是我国拥有自主知识产权的技术路线，可以构建中国完全自主的LED产业。有产业经济学家表示，在成本持续下降的背景下，硅衬底技术若能获得资本大力追捧，LED产业格局有望被重塑。前几天，晶能光电副总裁陈振表示，晶能光电计划2016年投资5亿美元，扩充100台MOCVD产能。

　　LED技术项目属于技术发明类奖项。而国家科学技术奖包括5个奖项：国家最高科学技术奖、国家自然科学奖、国家技术发明奖、国家科学技术进步奖、中华人民共和国国际科学技术合作奖。从公布的初评结果可预判，若本次自然科学一等奖终有得主，该荣誉将花落“多光子纠缠干涉度量学”项目，该项目将量子保密通信技术带入现实应用。最受瞩目的是国家最高科学技术奖，历来只授予个人，每年授予人数不超过2名。

　　“低热阻高光效大功率LED封装优化技术及应用”项目，近日已被国家工信部公示为2016年度国家科学技术奖推荐候选项目，公示截止日2016年1月11日。该项目由华中科技大学、武汉大学牵头，团队带头人刘胜（武汉大学动力与机械学院院长、华中科技大学微系统研究中心主任），深圳市瑞丰光电子股份有限公司、广东昭信企业集团有限公司名列主要完成单位。该项目上个月（2015年12月）被国家教育部评为2015年度高等学校科学研究优秀成果技术发明奖一等奖，当时授奖项目名称是“大功率LED封装及应用的关键技术研究”，项目单位是华中科技大学。

　　据查询，具备国家科学技术奖推荐资格的单位和专家包括：国务院组成部门、直属机构、直属事业单位，各省、自治区、直辖市、新疆生产建设兵团、特别行政区、计划单列市，国务院部委管理的国家局、大型行业协会学会、大型企业等上述的科学技术主管部门；国家最高科学技术奖获奖人、中国科学院院士、中国工程院院士、国家自然科学奖获奖项目第一完成人。

　　国家科学技术奖的授予有助于提振LED业界的信心。LED技术项目屡屡斩获国家科学技术奖并且名列前茅，表明LED技术仍然有研究价值，LED产业仍然有良好前景。另外，值得一提的是，清华大学“石墨烯的电分析化学和生物分析化学研究”项目也即将获得2015年度国家科学技术奖自然科学二等奖。